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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > TC58BYG1S3HBAI4
TC58BYG1S3HBAI4
Modelo do Produto:
TC58BYG1S3HBAI4
Fabricante:
Toshiba Memory America, Inc.
Descrição:
2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
65081 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
TC58BYG1S3HBAI4.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:25ns
Tensão - Fornecimento:1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia:FLASH - NAND (SLC)
Embalagem do dispositivo fornecedor:63-TFBGA (9x11)
Série:Benand™
Caixa / Gabinete:63-VFBGA
Temperatura de operação:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem:Surface Mount
Tipo de memória:Non-Volatile
Tamanho da memória:2Gb (256M x 8)
Interface de memória:-
Formato de memória:FLASH
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11)
Email:[email protected]

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