Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Sirkuit Terpadu (IC) > Ingatan > TC58BYG1S3HBAI4
TC58BYG1S3HBAI4
Nomor bagian:
TC58BYG1S3HBAI4
Pabrikan:
Toshiba Memory America, Inc.
Deskripsi:
2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
65081 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
TC58BYG1S3HBAI4.pdf
Penyelidikan

pengantar

TC58BYG1S3HBAI4 harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk TC58BYG1S3HBAI4, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk TC58BYG1S3HBAI4 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman:25ns
Tegangan - Pasokan:1.7 V ~ 1.95 V
Teknologi:FLASH - NAND (SLC)
Paket Perangkat pemasok:63-TFBGA (9x11)
Seri:Benand™
Paket / Case:63-VFBGA
Suhu Operasional:-40°C ~ 85°C (TA)
mount Jenis:Surface Mount
memory Type:Non-Volatile
Ukuran memori:2Gb (256M x 8)
Antarmuka Memori:-
Format Memori:FLASH
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Detil Deskripsi:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11)
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk TC58BYG1S3HBAI4

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
TC58CVG2S0HQAIE Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP Penyelidikan
TC58BVG1S3HTA00 Image TC58BVG1S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I Penyelidikan
TC58CYG0S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc. 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V Penyelidikan
TC58BYG0S3HBAI6 Image TC58BYG0S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA Penyelidikan
TC58CVG1S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc. 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V Penyelidikan
TC58BVG1S3HBAI6 Image TC58BVG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA Penyelidikan
TC58CVG0S3HQAIE Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP Penyelidikan
TC58BYG2S0HBAI6 Image TC58BYG2S0HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA Penyelidikan
TC58BVG0S3HTAI0 Image TC58BVG0S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I Penyelidikan
TC58BVG1S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE Penyelidikan
TC58BYG1S3HBAI6 Image TC58BYG1S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA Penyelidikan
TC58BVG1S3HTAI0 Image TC58BVG1S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I Penyelidikan
TC58BVG2S0HTAI0 Image TC58BVG2S0HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I Penyelidikan
TC58CYG0S3HQAIE Image TC58CYG0S3HQAIE Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP Penyelidikan
TC58BYG0S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE Penyelidikan
TC58BVG2S0HBAI4 Image TC58BVG2S0HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA Penyelidikan
TC58CVG0S3HRAIG Image TC58CVG0S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan
TC58CYG1S3HRAIG Toshiba Memory America, Inc. 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V Penyelidikan
TC58BVG2S0HTA00 Image TC58BVG2S0HTA00 Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I Penyelidikan
TC58CVG2S0HRAIG Image TC58CVG2S0HRAIG Toshiba Memory America, Inc. IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON Penyelidikan

Latest Berita