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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - RF > A2T18S261W12NR3
A2T18S261W12NR3
Modelo do Produto:
A2T18S261W12NR3
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Quantidade:
40826 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
A2T18S261W12NR3.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Teste:28V
Tensão - M:65V
Tipo transistor:LDMOS
Embalagem do dispositivo fornecedor:OM-880X-2L2L
Série:-
Potência:280W
Caixa / Gabinete:OM-880X-2L2L
Outros nomes:935338749528
Fator de ruído:-
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Ganho:18.2dB
Freqüência:1.805GHz ~ 1.88GHz
Descrição detalhada:RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.805GHz ~ 1.88GHz 18.2dB 280W OM-880X-2L2L
Potência nominal:10µA
Atual - Teste:1.5A
Email:[email protected]

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