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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > A2T18S261W12NR3
A2T18S261W12NR3
Número de pieza:
A2T18S261W12NR3
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Cantidad:
40826 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
A2T18S261W12NR3.pdf
Investigación

Introducción

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Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Voltaje - Prueba:28V
Tensión - Calificación:65V
Tipo de transistor:LDMOS
Paquete del dispositivo:OM-880X-2L2L
Serie:-
Alimentación - Salida:280W
Paquete / Cubierta:OM-880X-2L2L
Otros nombres:935338749528
Figura de ruido:-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Ganancia:18.2dB
Frecuencia:1.805GHz ~ 1.88GHz
Descripción detallada:RF Mosfet LDMOS 28V 1.5A 1.805GHz ~ 1.88GHz 18.2dB 280W OM-880X-2L2L
Valoración actual:10µA
Corriente - Prueba:1.5A
Email:[email protected]

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