Kongeriket
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Om oss | Kontakt oss | Etterspør et sitat |
Hjem > Produkter > Integrerte kretser (ICs) > Hukommelse > MT46H128M32L2MC-6 WT:B
MT46H128M32L2MC-6 WT:B
Delenummer:
MT46H128M32L2MC-6 WT:B
Produsent:
Micron Technology
Beskrivelse:
IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / RoHS-kompatibel
Mengde:
67932 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Dataark:
MT46H128M32L2MC-6 WT:B.pdf
Forespørsel

Introduksjon

MT46H128M32L2MC-6 WT:B best pris og rask levering.
BOSER Technology er distributør for MT46H128M32L2MC-6 WT:B, vi har aksjene for umiddelbar frakt og også tilgjengelig for lang tid levering. Vennligst send oss ​​kjøpsplanen din for MT46H128M32L2MC-6 WT:B via e-post, vi vil gi deg en best pris i henhold til planen din.
Vår e-post: [email protected]

spesifikasjoner

Tilstand New and Original
Opprinnelse Contact us
distributør Boser Technology
Skriv syklustid - Word, Page:15ns
Spenning - Forsyning:1.7 V ~ 1.95 V
Teknologi:SDRAM - Mobile LPDDR
Leverandør Enhetspakke:240-WFBGA (14x14)
Serie:-
emballasje:Tray
Pakke / tilfelle:240-WFBGA
Andre navn:MT46H128M32L2MC-6 WT:B-ND
MT46H128M32L2MC-6WT:B
Driftstemperatur:-25°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype:Surface Mount
Vannfølsomhetsnivå (MSL):3 (168 Hours)
Minnetype:Volatile
Minnestørrelse:4Gb (128M x 32)
Minne-grensesnitt:Parallel
Minneformat:DRAM
Lead Free Status / RoHS Status:Lead free / RoHS Compliant
Detaljert beskrivelse:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 166MHz 5.0ns 240-WFBGA (14x14)
Klokkefrekvens:166MHz
Basenummer:MT46H128M32
Tilgangstid:5.0ns
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Delenummer
Mengde
Selskap
E-post
telefon
kommentarer

Beslektede deler til MT46H128M32L2MC-6 WT:B

Bilde Delenummer produsenter Beskrivelse Utsikt
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR Image MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Forespørsel
MT46H128M32L2MC-5 WT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA Forespørsel
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Forespørsel
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Forespørsel
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA Forespørsel
MT46H16M16LFBF-6 IT:A Image MT46H16M16LFBF-6 IT:A Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Forespørsel
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B Image MT46H128M32L2KQ-5 WT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Forespørsel
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B Image MT46H128M32L2KQ-6 IT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Forespørsel
MT46H16M16LFBF-5 IT:H Image MT46H16M16LFBF-5 IT:H Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Forespørsel
MT46H16M16LFBF-6 IT:H Image MT46H16M16LFBF-6 IT:H Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Forespørsel
MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR Image MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Forespørsel
MT46H128M32L2MC-6 IT:A Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA Forespørsel
MT46H16M16LFBF-6 AT:H Image MT46H16M16LFBF-6 AT:H Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Forespørsel
MT46H16M16LFBF-5:H Image MT46H16M16LFBF-5:H Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Forespørsel
MT46H16M16LFBF-5:H TR Image MT46H16M16LFBF-5:H TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Forespørsel
MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR Image MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR Micron Technology IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Forespørsel
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B Image MT46H128M32L2KQ-6 WT:B Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Forespørsel
MT46H128M32L2MC-5 IT:A Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA Forespørsel
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR Image MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 168WFBGA Forespørsel
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA Forespørsel

Latest News