MT46H128M32L2MC-6 WT:B
Modèle de produit:
MT46H128M32L2MC-6 WT:B
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC DRAM 4G PARALLEL 240WFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
67932 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MT46H128M32L2MC-6 WT:B.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:15ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.95 V
La technologie:SDRAM - Mobile LPDDR
Package composant fournisseur:240-WFBGA (14x14)
Séries:-
Emballage:Tray
Package / Boîte:240-WFBGA
Autres noms:MT46H128M32L2MC-6 WT:B-ND
MT46H128M32L2MC-6WT:B
Température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:4Gb (128M x 32)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 166MHz 5.0ns 240-WFBGA (14x14)
Fréquence d'horloge:166MHz
Numéro de pièce de base:MT46H128M32
Temps d'accès:5.0ns
Email:[email protected]

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