NCP5111DR2G最高の価格と速い配達。
BOSER Technology NCP5111DR2Gのディストリビューターは、私達に即時出荷のための在庫があり、また長い時間の供給のために利用できます。電子メールで私達にNCP5111DR2Gのあなたの購入計画を送ってください、私達はあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。私達のEメール：[email protected]
NCP5111DR2G
- 部品型番:
- NCP5111DR2G
- 説明:
- IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 83426 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- NCP5111DR2G.pdf
簡潔な
私達のEメール：[email protected]
規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 電源電圧 - : | 10 V ~ 20 V |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SOIC |
| シリーズ: | - |
| 立上り/立下り時間（Typ）: | 85ns, 35ns |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 他の名前: | NCP5111DR2G-ND NCP5111DR2GOSTR |
| 運転温度: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 入力周波数: | 2 |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 26 Weeks |
| ロジック電圧 - VIL、VIH: | 0.8V, 2.3V |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力タイプ: | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）: | 600V |
| ゲートタイプ: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 駆動構成: | Half-Bridge |
| 詳細な説明: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）: | 250mA, 500mA |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大）: | Synchronous |
| ベース部品番号: | NCP5111 |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのNCP5111DR2G
最新ニュース
- Vishayは、VCSELに基づいて新しい高性能反射光センサーを発売しました
- なぜ小さな充電ICの切り株アップル、ハウエイ、サムスン？
- 半導体産業への電子材料の重要性
- カーボンベースの半導体はどのように破断しますか？
- グローバルエレクトロニクスサプライチェーンにおける中国の重要な役割
- 500億元！ Ziguangの株式を取得するというアリババの意思の露出
- 国内の高電圧および大容量圧着IGBTチップとデバイスを開発しました
- 国内の半導体IPはターニングポイントで推定されている、長所技術の分析と機会の分析
- Huawei Hubbleは大きく投資します：半導体産業に密接に焦点を当てて
- 包装とテスト、MOSFETは20％急上昇しました！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新しいFabの波が再表示され、半導体機器のブームが続く