MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
部品型番:
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
メーカー:
Micron Technology
説明:
IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
37165 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B.pdf

簡潔な

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:-
電源電圧 - :2.5 V ~ 3.6 V
技術:FLASH - NAND
シリーズ:-
運転温度:0°C ~ 70°C (TA)
水分感受性レベル(MSL):3 (168 Hours)
メモリタイプ:Non-Volatile
記憶容量:3Tb (384G x 8)
メモリインタフェース:Parallel
メモリ形式:FLASH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:FLASH - NAND Memory IC 3Tb (384G x 8) Parallel 333MHz
クロック周波数:333MHz
Email:[email protected]

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