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BS2100F-E2
- 部品型番:
- BS2100F-E2
- メーカー:
- LAPIS Semiconductor
- 説明:
- IC DVR IGBT/MOSFET
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 56836 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- BS2100F-E2.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 電源電圧 - : | 10 V ~ 18 V |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SOP |
| シリーズ: | - |
| 立上り/立下り時間（Typ）: | 200ns, 100ns |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| 他の名前: | BS2100F-E2TR |
| 運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力周波数: | 2 |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| ロジック電圧 - VIL、VIH: | 1V, 2.6V |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力タイプ: | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）: | 600V |
| ゲートタイプ: | N-Channel MOSFET |
| 駆動構成: | Half-Bridge |
| 詳細な説明: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）: | 60mA, 130mA |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大）: | Independent |
| Email: | [email protected] |
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