AUIRS2123S最高の価格と速い配達。
BOSER Technology AUIRS2123Sのディストリビューターは、私達に即時出荷のための在庫があり、また長い時間の供給のために利用できます。電子メールで私達にAUIRS2123Sのあなたの購入計画を送ってください、私達はあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。私達のEメール：[email protected]
AUIRS2123S
- 部品型番:
- AUIRS2123S
- 説明:
- IC DRIVER HIGH SIDE 600V 8SOIC
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 43729 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- AUIRS2123S.pdf
簡潔な
私達のEメール：[email protected]
規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 電源電圧 - : | 10 V ~ 20 V |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SOIC |
| シリーズ: | Automotive, AEC-Q100 |
| 立上り/立下り時間（Typ）: | 80ns, 80ns |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 他の名前: | SP001512204 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力周波数: | 1 |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| ロジック電圧 - VIL、VIH: | - |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力タイプ: | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）: | 600V |
| ゲートタイプ: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 駆動構成: | High-Side |
| 詳細な説明: | High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）: | 500mA, 500mA |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大）: | Single |
| ベース部品番号: | AUIRS2123S |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのAUIRS2123S
最新ニュース
- Vishayは、VCSELに基づいて新しい高性能反射光センサーを発売しました
- なぜ小さな充電ICの切り株アップル、ハウエイ、サムスン？
- 半導体産業への電子材料の重要性
- カーボンベースの半導体はどのように破断しますか？
- グローバルエレクトロニクスサプライチェーンにおける中国の重要な役割
- 500億元！ Ziguangの株式を取得するというアリババの意思の露出
- 国内の高電圧および大容量圧着IGBTチップとデバイスを開発しました
- 国内の半導体IPはターニングポイントで推定されている、長所技術の分析と機会の分析
- Huawei Hubbleは大きく投資します：半導体産業に密接に焦点を当てて
- 包装とテスト、MOSFETは20％急上昇しました！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新しいFabの波が再表示され、半導体機器のブームが続く