| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnologia: | DRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 144-µBGA (18.5x11) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 144-TFBGA |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 576Mb (32M x 18) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 533MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11) |
| Frequenza dell'orologio: | 533MHz |
| Numero di parte base: | MT49H32M18 |
| Tempo di accesso: | 15ns |
| Email: | [email protected] |
