| État | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributeur | Boser Technology |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| La technologie: | DRAM |
| Package composant fournisseur: | 144-µBGA (18.5x11) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | 144-TFBGA |
| Température de fonctionnement: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 576Mb (32M x 18) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 533MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11) |
| Fréquence d'horloge: | 533MHz |
| Numéro de pièce de base: | MT49H32M18 |
| Temps d'accès: | 15ns |
| Email: | [email protected] |
