| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 85ns |
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnologia: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 54-VFBGA (8x10) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 54-VFBGA |
| Altri nomi: | MT45W8MW16BGX-856 AT-ND MT45W8MW16BGX-856AT |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 128Mb (8M x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | PSRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 66MHz 85ns 54-VFBGA (8x10) |
| Frequenza dell'orologio: | 66MHz |
| Numero di parte base: | MT45W8MW16 |
| Tempo di accesso: | 85ns |
| Email: | [email protected] |
