| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 85ns |
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnología: | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Paquete del dispositivo: | 54-VFBGA (8x10) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 54-VFBGA |
| Otros nombres: | MT45W8MW16BGX-856 AT-ND MT45W8MW16BGX-856AT |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 128Mb (8M x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | PSRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 66MHz 85ns 54-VFBGA (8x10) |
| Frecuencia de reloj: | 66MHz |
| Número de pieza base: | MT45W8MW16 |
| Tiempo de acceso: | 85ns |
| Email: | [email protected] |
