| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | - |
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnologia: | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 165-CABGA (13x15) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 165-TBGA |
| Altri nomi: | 71P74604S200BQ |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 18Mb (512K x 36) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | SRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrizione dettagliata: | SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 8.4ns 165-CABGA (13x15) |
| Frequenza dell'orologio: | 200MHz |
| Numero di parte base: | IDT71P74 |
| Tempo di accesso: | 8.4ns |
| Email: | [email protected] |
