| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnología: | SRAM - Synchronous, QDR II |
| Paquete del dispositivo: | 165-CABGA (13x15) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 165-TBGA |
| Otros nombres: | 71P74604S200BQ |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 18Mb (512K x 36) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | SRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada: | SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 8.4ns 165-CABGA (13x15) |
| Frecuencia de reloj: | 200MHz |
| Número de pieza base: | IDT71P74 |
| Tiempo de acceso: | 8.4ns |
| Email: | [email protected] |
