| Condizione | New and Original |
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| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1200V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 3.2V @ 15V, 70A |
| Condizione di test: | 600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 33ns/278ns |
| di scambio energetico: | 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 961W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| carica gate: | 544nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-247 |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 280A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 160A |
| Email: | [email protected] |
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
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APT68GA60LD40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-264 | Inchiesta |
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APT66M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX | Inchiesta |
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APT75DF170HJ | Microsemi | MOD DIODE 1700V SOT-227 | Inchiesta |
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APT68GA60B | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Inchiesta |
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APT66F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Inchiesta |
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APT70GR120L | Microsemi | IGBT 1200V 160A 961W TO264 | Inchiesta |
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APT70SM70B | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
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APT65GP60J | Microsemi | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | Inchiesta |
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APT66F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 | Inchiesta |
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APT70GR120J | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Inchiesta |
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APT66M60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 | Inchiesta |
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APT68GA60B2D40 | Microsemi | IGBT 600V 121A 520W TO-247 | Inchiesta |
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APT70GR120JD60 | Microsemi | IGBT 1200V 112A 543W SOT227 | Inchiesta |
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APT6M100K | Microsemi | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 | Inchiesta |
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APT65GP60L2DQ2G | Microsemi | IGBT 600V 198A 833W TO264 | Inchiesta |
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APT70GR65B2DU40 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
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APT70GR65B | Microsemi | IGBT 650V 134A 595W TO-247 | Inchiesta |
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APT70GR65B2SCD30 | Microsemi | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Inchiesta |
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APT70SM70J | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |
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APT70SM70S | Microsemi | POWER MOSFET - SIC | Inchiesta |