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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT70GR120B2
APT70GR120B2
APT70GR120B2
Modèle de produit:
APT70GR120B2
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 1200V 160A 961W TO247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
53024 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APT70GR120B2.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:3.2V @ 15V, 70A
Condition de test:600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:33ns/278ns
énergie de commutation:3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
Package composant fournisseur:TO-247
Séries:-
Puissance - Max:961W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:NPT
gate charge:544nC
Description détaillée:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-247
Courant - Collecteur pulsée (Icm):280A
Courant - Collecteur (Ic) (max):160A
Email:[email protected]

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