Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > EPC2034ENGR
EPC2034ENGR
EPC2034ENGR
Nomor bagian:
EPC2034ENGR
Pabrikan:
EPC
Deskripsi:
TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
73634 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
EPC2034ENGR.pdf
Penyelidikan

pengantar

EPC2034ENGR harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk EPC2034ENGR, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk EPC2034ENGR melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Tegangan - Uji:940pF @ 100V
Tegangan - Breakdown:Die
Vgs (th) (Max) @ Id:10 mOhm @ 20A, 5V
Teknologi:GaNFET (Gallium Nitride)
Seri:eGaN®
Status RoHS:Tray
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:31A (Ta)
Polarisasi:Die
Nama lain:917-EPC2034ENGR
Suhu Operasional:-40°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL):1 (Unlimited)
Nomor Bagian Produsen:EPC2034ENGR
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:8.5nC @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 7mA
Fitur FET:N-Channel
Deskripsi yang Diperluas:N-Channel 200V 31A (Ta) Surface Mount Die
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):-
Deskripsi:TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:200V
kapasitansi Ratio:-
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk EPC2034ENGR

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
EPC2038 Image EPC2038 EPC TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2037ENGR Image EPC2037ENGR EPC TRANS GAN 100V BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Penyelidikan
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2037 Image EPC2037 EPC TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI Penyelidikan
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2036ENGRT Image EPC2036ENGRT EPC MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE Penyelidikan
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Penyelidikan
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2032ENGR Image EPC2032ENGR EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2039ENGRT Image EPC2039ENGRT EPC TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2036 Image EPC2036 EPC TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2039 Image EPC2039 EPC TRANS GAN 80V BUMPED DIE Penyelidikan

Latest Berita