Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > EPC2032ENGR
EPC2032ENGR
EPC2032ENGR
Nomor bagian:
EPC2032ENGR
Pabrikan:
EPC
Deskripsi:
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
44378 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
EPC2032ENGR.pdf
Penyelidikan

pengantar

EPC2032ENGR harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk EPC2032ENGR, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk EPC2032ENGR melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Tegangan - Uji:1530pF @ 50V
Tegangan - Breakdown:Die
Vgs (th) (Max) @ Id:4 mOhm @ 30A, 5V
Teknologi:GaNFET (Gallium Nitride)
Seri:eGaN®
Status RoHS:Tray
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:48A (Ta)
Polarisasi:Die
Nama lain:917-EPC2032ENGR
Suhu Operasional:-40°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL):1 (Unlimited)
Nomor Bagian Produsen:EPC2032ENGR
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:15nC @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 11mA
Fitur FET:N-Channel
Deskripsi yang Diperluas:N-Channel 100V 48A (Ta) Surface Mount Die
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):-
Deskripsi:TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:100V
kapasitansi Ratio:-
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk EPC2032ENGR

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
EPC2034 Image EPC2034 EPC TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2033 Image EPC2033 EPC TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Penyelidikan
EPC2031ENGRT Image EPC2031ENGRT EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Penyelidikan
EPC2035 Image EPC2035 EPC TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2031ENGR Image EPC2031ENGR EPC TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2032 Image EPC2032 EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2030 Image EPC2030 EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE Penyelidikan
EPC2034ENGR Image EPC2034ENGR EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2031 Image EPC2031 EPC MOSFET NCH 60V 31A DIE Penyelidikan
EPC2033ENGRT Image EPC2033ENGRT EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2036ENGRT Image EPC2036ENGRT EPC MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE Penyelidikan
EPC2036 Image EPC2036 EPC TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2034ENGRT Image EPC2034ENGRT EPC TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2033ENGR Image EPC2033ENGR EPC TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2032ENGRT Image EPC2032ENGRT EPC TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2029ENGRT Image EPC2029ENGRT EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Penyelidikan

Latest Berita