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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT53B384M32D2NP-053 WT:B
MT53B384M32D2NP-053 WT:B
Modèle de produit:
MT53B384M32D2NP-053 WT:B
Fabricant:
Micron Technology
La description:
IC DRAM 12G 1866MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
41679 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
MT53B384M32D2NP-053 WT:B.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Écrire le temps de cycle - Word, Page:-
Tension - Alimentation:1.1V
La technologie:SDRAM - Mobile LPDDR4
Séries:-
Autres noms:MT53B384M32D2NP-053 WT:B-ND
MT53B384M32D2NP-053WT:B
Température de fonctionnement:-30°C ~ 85°C (TC)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:12Gb (384M x 32)
Interface mémoire:-
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 12Gb (384M x 32) 1866MHz
Fréquence d'horloge:1866MHz
Email:[email protected]

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