MT53B384M32D2NP-053 WT:B - Micron Technology ذاكرة

MT53B384M32D2NP-053 WT:B

رقم القطعة:: MT53B384M32D2NP-053 WT:B

الصانع:: Micron Technology

وصف:: IC DRAM 12G 1866MHZ

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 41679 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: MT53B384M32D2NP-053 WT:B.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر MT53B384M32D2NP-053 WT:B وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ MT53B384M32D2NP-053 WT:B ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على MT53B384M32D2NP-053 WT:B عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	1.1V
تكنولوجيا:	SDRAM - Mobile LPDDR4
سلسلة:	-
اسماء اخرى:	MT53B384M32D2NP-053 WT:B-ND MT53B384M32D2NP-053WT:B
درجة حرارة التشغيل:	-30°C ~ 85°C (TC)
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:	Volatile
حجم الذاكرة:	12Gb (384M x 32)
واجهة الذاكرة:	-
تنسيق الذاكرة:	DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 12Gb (384M x 32) 1866MHz
تردد على مدار الساعة:	1866MHz
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لMT53B384M32D2NP-053 WT:B

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MT53B384M32D2NP-062 XT:B	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ	تحقيق
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ	تحقيق
MT53B384M32D2NP-062 WT:B	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B384M32D2NP-062 AAT:B TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 12GBIT 1.6GHZ FBGA	تحقيق
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR	Micron Technology	IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B384M32D2DS-062 XT:B	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ	تحقيق
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ	تحقيق
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ	تحقيق
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ	تحقيق
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ	تحقيق
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ	تحقيق
MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 1866MHZ	تحقيق
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ	تحقيق
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA	تحقيق
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ	تحقيق
MT53B384M32D2NP-062 AUT:B TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 12GBIT 1.6GHZ FBGA	تحقيق
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR	Micron Technology	IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار