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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
Número de pieza:
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
Fabricante:
Micron Technology
Descripción:
IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
71620 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR.pdf
Investigación

Introducción

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Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:15ns
Suministro de voltaje:1.7 V ~ 1.9 V
Tecnología:SDRAM - DDR2
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Otros nombres:MT47H64M8SH-25E AAT:H TR-ND
MT47H64M8SH-25EAAT:HTR
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 105°C (TA)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:512Mb (64M x 8)
Interfaz de memoria:Parallel
Formato de memoria:DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps
Frecuencia de reloj:400MHz
Tiempo de acceso:400ps
Email:[email protected]

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