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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
Artikelnummer:
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
71620 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:15ns
Spannungsversorgung:1.7 V ~ 1.9 V
Technologie:SDRAM - DDR2
Serie:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Andere Namen:MT47H64M8SH-25E AAT:H TR-ND
MT47H64M8SH-25EAAT:HTR
Betriebstemperatur:-40°C ~ 105°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Volatile
Speichergröße:512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps
Uhrfrequenz:400MHz
Zugriffszeit:400ps
Email:[email protected]

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