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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > EDB8164B4PT-1D-F-R TR
EDB8164B4PT-1D-F-R TR
Número de pieza:
EDB8164B4PT-1D-F-R TR
Fabricante:
Micron Technology
Descripción:
IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
80895 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
EDB8164B4PT-1D-F-R TR.pdf
Investigación

Introducción

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Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:-
Suministro de voltaje:1.14 V ~ 1.95 V
Tecnología:SDRAM - Mobile LPDDR2
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Otros nombres:EDB8164B4PT-1D-F-R TR-ND
EDB8164B4PT-1D-F-RTR
Temperatura de funcionamiento:-30°C ~ 85°C (TC)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:8Gb (128M x 64)
Interfaz de memoria:Parallel
Formato de memoria:DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 533MHz
Frecuencia de reloj:533MHz
Email:[email protected]

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