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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > EDB8164B4PK-1D-F-D
EDB8164B4PK-1D-F-D
Número de pieza:
EDB8164B4PK-1D-F-D
Fabricante:
Micron Technology
Descripción:
IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
47200 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
EDB8164B4PK-1D-F-D.pdf
Investigación

Introducción

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Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:-
Suministro de voltaje:1.14 V ~ 1.95 V
Tecnología:SDRAM - Mobile LPDDR2
Paquete del dispositivo:220-FBGA (14x14)
Serie:-
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:220-WFBGA
Temperatura de funcionamiento:-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:8Gb (128M x 64)
Interfaz de memoria:Parallel
Formato de memoria:DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 8Gb (128M x 64) Parallel 533MHz 220-FBGA (14x14)
Frecuencia de reloj:533MHz
Email:[email protected]

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