| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 2.5mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | ISOTOP® |
| Serie: | POWER MOS 7® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 100 mOhm @ 22A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 463W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5823pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 124nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 550V |
| Descripción detallada: | N-Channel 550V 44A (Tc) 463W (Tc) Chassis Mount ISOTOP® |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 44A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
APT54GA60BD30 | Microsemi | IGBT 600V 96A 416W TO247 | Investigación |
|
APT54GA60B | Microsemi | IGBT 600V 96A 416W TO-247 | Investigación |
 |
APT53N60SC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK | Investigación |
|
APT53N60BC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 | Investigación |
 |
APT56M50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX | Investigación |
|
APT56F50B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 56A TO-247 | Investigación |
 |
APT51M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Investigación |
 |
APT56F60L | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A TO-264 | Investigación |
|
APT56M50L | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 | Investigación |
|
APT56M60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX | Investigación |
|
APT56F50L | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 56A TO-264 | Investigación |
 |
APT53F80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 | Investigación |
|
APT50N60JCCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 | Investigación |
|
APT50N60JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 | Investigación |
|
APT5518BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 31A TO-247 | Investigación |
|
APT50MC120JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V SOT227 | Investigación |
|
APT51F50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Investigación |
|
APT55M50JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 77A SOT-227 | Investigación |
|
APT55M65JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227 | Investigación |
|
APT56F60B2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 | Investigación |