| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.3V @ 1mA (Typ) |
| Vgs (Max): | +25V, -10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-227 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 34 mOhm @ 50A, 20V |
| La disipación de energía (máximo): | 300W (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 32 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2980pF @ 1000V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 179nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 20V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1200V |
| Descripción detallada: | N-Channel 1200V 71A (Tc) 300W (Tc) Chassis Mount SOT-227 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 71A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
APT50M65JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Investigación |
|
APT50N60JCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 | Investigación |
 |
APT54GA60BD30 | Microsemi | IGBT 600V 96A 416W TO247 | Investigación |
 |
APT50N60JCCU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 | Investigación |
|
APT50M75JLLU3 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Investigación |
|
APT5510JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 550V 44A SOT-227 | Investigación |
|
APT53F80J | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 | Investigación |
 |
APT53N60SC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK | Investigación |
|
APT51M50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Investigación |
 |
APT50M65B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | Investigación |
|
APT50M65JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227 | Investigación |
|
APT54GA60B | Microsemi | IGBT 600V 96A 416W TO-247 | Investigación |
|
APT51F50J | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 | Investigación |
|
APT50M75JLLU2 | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 | Investigación |
|
APT50M38JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 | Investigación |
 |
APT50M65LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | Investigación |
|
APT50M65B2FLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX | Investigación |
|
APT53N60BC6 | Microsemi | MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 | Investigación |
|
APT50M65LLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 67A TO-264 | Investigación |
|
APT50M50JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 | Investigación |