| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | +6V, -4V |
| Technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Supplier Device-Gehäuse: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| Verlustleistung (max): | - |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | Die |
| Andere Namen: | 917-1118-1 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 21pF @ 32.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 65V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
