| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 875mV @ 4A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 150V |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 30ns |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | B, Axial |
| اسماء اخرى: | 1N5811CT 1N5811CT-ND 1N5811E3CT 1N5811E3CT-ND 1N5811TRCT |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 150V 6A Through Hole |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 150V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 6A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| رقم جزء القاعدة: | 1N5811 |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5809 | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL | تحقيق |
|
1N5809US.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 6A | تحقيق |
|
1N5807US | Semtech | DIODE GEN PURP 50V 6A | تحقيق |
 |
1N5811C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | تحقيق |
 |
1N5813R | Microsemi | RECTIFIER DIODE | تحقيق |
|
1N5812R | Microsemi | RECTIFIER DIODE | تحقيق |
|
1N5811US | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 6A | تحقيق |
|
1N5808 | Microsemi | DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG | تحقيق |
|
1N5811 | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | تحقيق |
 |
1N5811US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF | تحقيق |
|
1N5815R | Microsemi | RECTIFIER DIODE | تحقيق |
 |
1N5809 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | تحقيق |
|
1N5809US | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 6A | تحقيق |
|
1N5814R | Microsemi | RECTIFIER DIODE | تحقيق |
|
1N5813 | Microsemi | RECTIFIER DIODE | تحقيق |
 |
1N5814 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | تحقيق |
 |
1N5812 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA | تحقيق |
|
1N5815 | Microsemi | RECTIFIER DIODE | تحقيق |
|
1N5807US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF | تحقيق |
|
1N5809US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF | تحقيق |