| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 875mV @ 4A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 100V |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 30ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SQ-MELF |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| الصانع المهلة القياسية: | 46 Weeks |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 100V 6A Surface Mount |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 100V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 6A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 60pF @ 5V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
1N5812 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA | تحقيق |
 |
1N5809US | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 6A | تحقيق |
 |
1N5808 | Microsemi | DIODE RECT ULT FAST REC B-PKG | تحقيق |
 |
1N5811US | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF | تحقيق |
|
1N5813R | Microsemi | RECTIFIER DIODE | تحقيق |
 |
1N5807 | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | تحقيق |
|
1N5809 | Semtech | DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL | تحقيق |
|
1N5807US | Semtech | DIODE GEN PURP 50V 6A | تحقيق |
|
1N5811 | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | تحقيق |
|
1N5812R | Microsemi | RECTIFIER DIODE | تحقيق |
 |
1N5811C.TR | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | تحقيق |
|
1N5811US | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 6A | تحقيق |
 |
1N5811TR | Microsemi | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | تحقيق |
|
1N5807US | Microsemi | DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF | تحقيق |
|
1N5809US | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF | تحقيق |
|
1N5813 | Microsemi | RECTIFIER DIODE | تحقيق |
|
1N5806US | Semtech | DIODE GEN PURP 150V 1.1A | تحقيق |
|
1N5807 | Semtech | DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL | تحقيق |
 |
1N5809 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | تحقيق |
 |
1N5814 | Microsemi | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | تحقيق |