TSM950N10CW RPG
TSM950N10CW RPG
Số Phần:
TSM950N10CW RPG
nhà chế tạo:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
98879 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
TSM950N10CW RPG.pdf

Giới thiệu

TSM950N10CW RPG giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho TSM950N10CW RPG, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TSM950N10CW RPG qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-223
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:95 mOhm @ 5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):9W (Tc)
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:TO-261-4, TO-261AA
Vài cái tên khác:TSM950N10CW RPGCT
TSM950N10CW RPGCT-ND
TSM950N10CWRPGCT
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):3 (168 Hours)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:28 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1480pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:9.3nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
miêu tả cụ thể:N-Channel 100V 6.5A (Tc) 9W (Tc) Surface Mount SOT-223
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:6.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận