TC58BYG1S3HBAI6
TC58BYG1S3HBAI6
Số Phần:
TC58BYG1S3HBAI6
nhà chế tạo:
Toshiba Memory America, Inc.
Sự miêu tả:
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
33167 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
TC58BYG1S3HBAI6.pdf

Giới thiệu

TC58BYG1S3HBAI6 giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho TC58BYG1S3HBAI6, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TC58BYG1S3HBAI6 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang:25ns
Voltage - Cung cấp:1.7 V ~ 1.95 V
Công nghệ:FLASH - NAND (SLC)
Gói thiết bị nhà cung cấp:67-VFBGA (6.5x8)
Loạt:Benand™
Bao bì:Tray
Gói / Case:67-VFBGA
Vài cái tên khác:TC58BYG1S3HBAI6JDH
TC58BYG1S3HBAI6YCL
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 85°C (TA)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):3 (168 Hours)
Loại bộ nhớ:Non-Volatile
Kích thước bộ nhớ:2Gb (256M x 8)
Giao diện bộ nhớ:Parallel
Định dạng bộ nhớ:FLASH
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
miêu tả cụ thể:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
Thời gian truy cập:25ns
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận