SIHH11N65EF-T1-GE3
SIHH11N65EF-T1-GE3
Số Phần:
SIHH11N65EF-T1-GE3
nhà chế tạo:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Sự miêu tả:
MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
59102 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
SIHH11N65EF-T1-GE3.pdf

Giới thiệu

SIHH11N65EF-T1-GE3 giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho SIHH11N65EF-T1-GE3, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SIHH11N65EF-T1-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PowerPAK® 8 x 8
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:382 mOhm @ 6A, 10V
Điện cực phân tán (Max):130W (Tc)
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:SIHH11N65EF-T1-GE3DKR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1243pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
miêu tả cụ thể:N-Channel 650V 11A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận