SI4808DY-T1-GE3
Số Phần:
SI4808DY-T1-GE3
nhà chế tạo:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
56269 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
SI4808DY-T1-GE3.pdf

Giới thiệu

SI4808DY-T1-GE3 giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho SI4808DY-T1-GE3, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI4808DY-T1-GE3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA (Min)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SO
Loạt:LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, VGS:22 mOhm @ 7.5A, 10V
Power - Max:1.1W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:6 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
miêu tả cụ thể:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:5.7A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận