SI4500BDY-T1-E3
Số Phần:
SI4500BDY-T1-E3
nhà chế tạo:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Sự miêu tả:
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
27604 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
SI4500BDY-T1-E3.pdf

Giới thiệu

SI4500BDY-T1-E3 giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho SI4500BDY-T1-E3, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI4500BDY-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SO
Loạt:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Power - Max:1.3W
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vài cái tên khác:SI4500BDY-T1-E3CT
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 4.5V
Loại FET:N and P-Channel, Common Drain
FET Feature:Logic Level Gate
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
miêu tả cụ thể:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 6.6A, 3.8A 1.3W Surface Mount 8-SO
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:6.6A, 3.8A
Số phần cơ sở:SI4500
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận