SI1305EDL-T1-E3
SI1305EDL-T1-E3
Số Phần:
SI1305EDL-T1-E3
nhà chế tạo:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
51617 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
SI1305EDL-T1-E3.pdf

Giới thiệu

SI1305EDL-T1-E3 giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho SI1305EDL-T1-E3, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho SI1305EDL-T1-E3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:450mV @ 250µA (Min)
Vgs (Tối đa):±8V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SC-70-3
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:280 mOhm @ 1A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):290mW (Ta)
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:SC-70, SOT-323
Vài cái tên khác:SI1305EDL-T1-E3CT
SI1305EDLT1E3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 4.5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):8V
miêu tả cụ thể:P-Channel 8V 860mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:860mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận