PMR670UPE,115
PMR670UPE,115
Số Phần:
PMR670UPE,115
nhà chế tạo:
NXP Semiconductors / Freescale
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V 480MA SC-75
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
41348 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
PMR670UPE,115.pdf

Giới thiệu

PMR670UPE,115 giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho PMR670UPE,115, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho PMR670UPE,115 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.3V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±8V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SC-75
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:850 mOhm @ 400mA, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):250mW (Ta), 770mW (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-75, SOT-416
Vài cái tên khác:568-10825-2
934065727115
PMR670UPE,115-ND
PMR670UPE115
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:87pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:1.14nC @ 4.5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
miêu tả cụ thể:P-Channel 20V 480mA (Ta) 250mW (Ta), 770mW (Tc) Surface Mount SC-75
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:480mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận