| Điều kiện | New and Original |
|---|---|
| Gốc | Contact us |
| Nhà phân phối | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.55V @ 250µA |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | 8-SO |
| Loạt: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
| Power - Max: | 2W |
| Bao bì: | Tube |
| Gói / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vài cái tên khác: | *IRF9910 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS non-compliant |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 900pF @ 10V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
| Loại FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature: | Logic Level Gate |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 20V |
| miêu tả cụ thể: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 10A, 12A |
| Email: | [email protected] |
