IRF6714MTR1PBF
IRF6714MTR1PBF
Số Phần:
IRF6714MTR1PBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
41668 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
IRF6714MTR1PBF.pdf

Giới thiệu

IRF6714MTR1PBF giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho IRF6714MTR1PBF, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRF6714MTR1PBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 100µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DIRECTFET™ MX
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.1 mOhm @ 29A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:DirectFET™ Isometric MX
Vài cái tên khác:IRF6714MTR1PBFTR
SP001526994
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3890pF @ 13V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):25V
miêu tả cụ thể:N-Channel 25V 29A (Ta), 166A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:29A (Ta), 166A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận