IRF6609TR1
IRF6609TR1
Số Phần:
IRF6609TR1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng:
77158 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
IRF6609TR1.pdf

Giới thiệu

IRF6609TR1 giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho IRF6609TR1, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRF6609TR1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.45V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DIRECTFET™ MT
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:2 mOhm @ 31A, 10V
Điện cực phân tán (Max):1.8W (Ta), 89W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:DirectFET™ Isometric MT
Vài cái tên khác:SP001529252
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):3 (168 Hours)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:6290pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
miêu tả cụ thể:N-Channel 20V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:31A (Ta), 150A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận