HN1A01F-GR(TE85L,F
HN1A01F-GR(TE85L,F
Số Phần:
HN1A01F-GR(TE85L,F
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor and Storage
Sự miêu tả:
TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
63581 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
HN1A01F-GR(TE85L,F.pdf

Giới thiệu

HN1A01F-GR(TE85L,F giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho HN1A01F-GR(TE85L,F, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HN1A01F-GR(TE85L,F qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
Loại bóng bán dẫn:2 PNP (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SM6
Loạt:-
Power - Max:300mW
Bao bì:Cut Tape (CT)
Gói / Case:SC-74, SOT-457
Vài cái tên khác:HN1A01F-GR(TE85LFCT
Nhiệt độ hoạt động:125°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tần số - Transition:80MHz
miêu tả cụ thể:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:200 @ 2mA, 6V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận