EMF24T2R
EMF24T2R
Số Phần:
EMF24T2R
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
70919 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
EMF24T2R.pdf

Giới thiệu

EMF24T2R giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho EMF24T2R, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho EMF24T2R qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:EMT6
Loạt:-
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2):10 kOhms
Điện trở - Cơ sở (R1):10 kOhms
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-563, SOT-666
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tần số - Transition:250MHz, 180MHz
miêu tả cụ thể:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz, 180MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA, 150mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận