DTB713ZMT2L
DTB713ZMT2L
Số Phần:
DTB713ZMT2L
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
62009 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
DTB713ZMT2L.pdf

Giới thiệu

DTB713ZMT2L giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho DTB713ZMT2L, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DTB713ZMT2L qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):30V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:PNP - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:VMT3
Loạt:-
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2):10 kOhms
Điện trở - Cơ sở (R1):1 kOhms
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-723
Vài cái tên khác:DTB713ZMT2LTR
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tần số - Transition:260MHz
miêu tả cụ thể:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:140 @ 100mA, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):200mA
Số phần cơ sở:DTB713
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận