| Điều kiện | New and Original |
|---|---|
| Gốc | Contact us |
| Nhà phân phối | Boser Technology |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 10A |
| Voltage - Breakdown: | TO-220AB |
| VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 80V |
| Loạt: | - |
| Tình trạng RoHS: | Tube |
| Điện trở - Base (R1) (Ohms): | 40MHz |
| Power - Max: | 2W |
| sự phân cực: | TO-220-3 |
| Vài cái tên khác: | D45H11GOS |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 13 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | D45H11G |
| Tần số - Transition: | 40 @ 4A, 1V |
| Mô tả mở rộng: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 40MHz 2W Through Hole TO-220AB |
| Sự miêu tả: | TRANS PNP 80V 10A TO220AB |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE: | 10µA |
| Hiện tại - Collector Cutoff (Max): | 1V @ 400mA, 8A |
| Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | PNP |
| Email: | [email protected] |
