| Điều kiện | New and Original |
|---|---|
| Gốc | Contact us |
| Nhà phân phối | Boser Technology |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 80V |
| VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 200mV @ 100µA, 1mA |
| Loại bóng bán dẫn: | NPN |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-92-3 |
| Loạt: | - |
| Power - Max: | 625mW |
| Bao bì: | Tape & Box (TB) |
| Gói / Case: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tần số - Transition: | - |
| miêu tả cụ thể: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 200mA 625mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE: | 60 @ 10mA, 1V |
| Hiện tại - Collector Cutoff (Max): | 10nA (ICBO) |
| Hiện tại - Collector (Ic) (Max): | 200mA |
| Số phần cơ sở: | 2N4410 |
| Email: | [email protected] |
