該公司使用堆疊式封裝在54引腳TSOP中創建基於32Mbit MRAM的產品。 

EV5A16B集成了Everspin Technologies的兩個16Mbit MRAM器件。

根據e2v，MRAM技術的吸引力在於它可以提供類似於SRAM的35ns讀/寫時序，但具有數據保留和持久性。

“我們新的堆疊式MRAM通過滿足行業對高密度內存的需求，將對客戶的系統產生重大影響，該內存體積小巧且能夠提高系統性能，”該公司總經理Brad Little說道。 e2v的半導體業務部門。   

它可用於商業（0°C至70°C）和工業（-40°C至85°C）溫度範圍。