| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 60V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 210mV @ 200mA, 5A |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | NPN |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-92 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 1W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Box (TB) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| ชื่ออื่น: | ZXTN2010ASTZ-ND ZXTN2010ASTZTB |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 130MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 4.5A 130MHz 1W Through Hole TO-92 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 100 @ 2A, 1V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 500nA (ICBO) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 4.5A |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | ZXTN2010A |
| Email: | [email protected] |
