| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4.5V @ 1mA |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 2.5 Ohm @ 1A, 12V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 150pF @ 15V |
| ประเภท FET: | P-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | P-Channel 30V 320mA (Ta) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 320mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
