| เงื่อนไข | New and Original |
|---|---|
| ที่มา | Contact us |
| ผู้จัดจำหน่าย | Boser Technology |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 50V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SSMini5-F3 |
| ชุด: | - |
| ตัวต้านทาน - ฐาน emitter (R2): | 47 kOhms |
| ตัวต้านทาน - ฐาน (R1): | 47 kOhms |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 125mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SOT-665 |
| ชื่ออื่น: | UP01213G0LTR |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 150MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini5-F3 |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 80 @ 5mA, 10V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 500nA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
